特許
J-GLOBAL ID：200903023271418820
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061856
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232688
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 しきい値電流密度が低く、しかも長寿命のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板上にバッファ層を介してn型ZnMgSSeクラッド層、n型ZnSSe光導波層、歪補償構造の活性層、p型ZnSSe光導波層、p型ZnMgSSeクラッド層などを順次積層して構成される半導体発光素子において、その活性層をZnCdSeなどからなる単一の量子井戸層をZnSSeなどからなる障壁層ではさんだ構造とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板上の第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上の歪補償構造の活性層と、上記活性層上の第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記第1のクラッド層、上記活性層および上記第2のクラッド層は、Zn、Mg、Cd、HgおよびBeからなる群より選ばれた少なくとも一種のII族元素とSe、SおよびTeからなる群より選ばれた少なくとも一種のVI族元素とにより構成されたII-VI族化合物半導体からなる半導体発光素子において、上記活性層が単一の量子井戸層を障壁層ではさんだ構造を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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