特許

J-GLOBAL ID：200903023272892186

空間光変調素子の製造方法

発明者： 滝沢 國治 ,  菊池 宏 ,  近藤 順悟 ,  大杉 幸久 ,  丹下 正次
出願人/特許権者： 日本放送協会 ,  日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067897
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283731
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 空間光変調素子(SLM)の遮光層を形成するのに際し、抵抗率が高くかつ光透過率の低い遮光層を安定して製造できるようにすることである。【構成】 光導電層と、この光導電層の一方の面に設けられた一方の透明電極膜と、前記光導電層の他方の面に設けられた遮光層と、この遮光層上に設けられた誘電体多層膜と、この誘電体多層膜上に設けられた光変調層と、この光変調層の表面に設けられた他方の透明電極膜とを少なくとも備えた空間光変調素子を製造する。アモルファス膜によって遮光層を構成し、プラズマ化学気相成長法によって、高周波電力密度を制御することにより、好ましくは4.8×10-2W/cm2 以下の高周波電力密度で前記アモルファス膜を作製する。このアモルファス膜は、12.5〜35原子%のゲルマニウムと25〜82.5原子%の炭素と5〜62.5原子%のケイ素とから実質的に構成されている。

請求項（抜粋）：

光導電層と、この光導電層の一方の面に設けられた一方の透明電極膜と、前記光導電層の他方の面に設けられた遮光層と、この遮光層上に設けられた誘電体多層膜と、この誘電体多層膜上に設けられた光変調層と、この光変調層の表面に設けられた他方の透明電極膜とを少なくとも備えた空間光変調素子を製造するのに際し、12.5〜35原子%のゲルマニウムと25〜82.5原子%の炭素と5〜62.5原子%のケイ素とから実質的に構成されているアモルファス膜からなる前記遮光層をプラズマ化学気相成長法によって高周波電力密度を制御することにより作製することを特徴とする、空間光変調素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/0248 ,  C23C 16/30 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/135