特許
J-GLOBAL ID：200903023273221820
トレンチゲート型半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-378874
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179223
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 トレンチゲートを有した半導体装置において、内部電界を緩和して特性を改善する。【解決手段】 チャネルが形成される第1導電型半導体SUBと、第1導電型半導体に形成されたトレンチTと、そのチャネル方向両側に接しソースまたはドレインとして機能する2つの第2導電型半導体領域S/Dと、トレンチ内に絶縁膜GDを介在させて少なくとも一部が埋め込まれたゲート電極GEと、トレンチ内の底面およびチャネル方向両側の側面に接した第1導電型半導体領域部分からなるチャネル形成領域とを有している。チャネル形成領域に不純物濃度が相対的に高い高濃度領域HRと低い低濃度領域が存在し、当該高濃度領域HRが、トレンチTの底面と側面うち一方にのみ接した位置に形成されている。
請求項（抜粋）：
チャネルが形成される第1導電型半導体と、第1導電型半導体に形成されたトレンチと、トレンチの両側に接した第1導電型半導体の表面領域に形成されソースまたはドレインとして機能する2つの第2導電型半導体領域と、トレンチ内に絶縁膜を介在させて少なくとも一部が埋め込まれたゲート電極と、トレンチ内の底面およびチャネル方向両側の側面に接した第1導電型半導体部分からなるチャネル形成領域とを有したトレンチゲート型半導体装置であって、上記チャネル形成領域に不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と低い低濃度領域が存在し、当該高濃度領域が、トレンチの底面と側面うち一方にのみ接した位置に形成されたトレンチゲート型半導体装置。
Fターム (21件)：
5F140AA24
, 5F140AC32
, 5F140BB04
, 5F140BB06
, 5F140BB13
, 5F140BC07
, 5F140BE07
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF11
, 5F140BF18
, 5F140BF43
, 5F140BG34
, 5F140BG37
, 5F140BH13
, 5F140BH30
, 5F140BJ01
, 5F140BJ08
, 5F140BK13
, 5F140CE06
, 5F140CF04
