特許

J-GLOBAL ID：200903023285840215

プラズマCVD装置

発明者： 原田 康樹 ,  寺田 典裕
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082709
公開番号（公開出願番号）：特開平8-277471
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】高い光電変換効率を有する太陽電池を製造する為の、広い設置スペースの不要なプラズマCVD装置を提供する。【構成】基板を設置する電極2に対向した対向電極10a,b,cを、p,i及びn型の非晶質半導体層用に個別に備えている。未使用の対向電極を、プラズマ領域外に保持することにより、導電型決定不純物を含む膜が、i型の非晶質半導体層形成用の対向電極に付着しない。また、この膜の反応室1の内壁への付着も少ない。この結果、i型の非晶質半導体層に導電型決定不純物が混入することがないので、光電変換効率の高い太陽電池が得られる。

請求項（抜粋）：

電極の表面上に設置された基板上に、プラズマ反応を用いて薄膜を形成するプラズマCVD装置に於いて、前記電極の表面と対向した対向電極を、少なくとも一枚備え、該対向電極もしくは前記電極の、いずれか一方を、他方の表面に平行に移動させながら、前記基板上に薄膜を形成することを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (5件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 31/04 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 M ,  H01L 31/04 V