特許

J-GLOBAL ID：200903023287724280

半導体装置およびその製造方法

発明者： 戸井田 孝志
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-178015
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046190
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【構成】 ゲート電極17の整合する領域に設ける低濃度領域19と、ゲート電極側壁の第1の絶縁膜の整合する領域に設ける中濃度領域21と、ゲート電極とサイドウォール31との整合する領域に設ける高濃度領域23と、コンタクトホール39を有する層間絶縁膜37と、配線41とを備える半導体装置およびその製造方法。【効果】 従来のように熱拡散処理工程を必要としない。そして第1の実施例では第1の絶縁膜の膜厚、第2と第3の実施例では第1のサイドウォールで中濃度領域の不純物濃度分布を制御している。このため三重拡散構造を制御性よく形成することができる。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板のゲート絶縁膜を介して設けるゲート電極と、このゲート電極の整合する領域に設ける第2の導電型の低濃度領域と、ゲート電極とこのゲート電極側壁の第1の絶縁膜との整合する領域に設ける第2の導電型の中濃度領域と、ゲート電極の側壁に設ける第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とからなるサイドウォールと、ゲート電極とサイドウォールとの整合する領域に設ける第2の導電型の高濃度領域と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、コンタクトホールを介して高濃度領域と接続する配線とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 P