特許
J-GLOBAL ID:200903023288489225
基板表面処理装置、基板表面処理方法および基板処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
福島 祥人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-048584
公開番号(公開出願番号):特開2007-227764
出願日: 2006年02月24日
公開日(公表日): 2007年09月06日
要約:
【課題】基板の効率的な処理を行うことが可能な基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供するとともに、フットプリントを増加させることなく基板の効率的な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板W上に形成された酸化膜のエッチング処理において、流体傘ノズル22によりフッ酸蒸気が基板Wの表面に供給される。エッチング処理後のリンス処理を行うために、回転される基板Wの表面に向かってリンス液として温水または水蒸気を供給するリンスノズル43が設けられている。リンスノズル43により供給される温水または水蒸気の温度は、ホットプレート21により加熱される基板Wとほぼ同じ温度(例えば30°C以上90°C以下)である。基板Wの乾燥処理の際には、流体傘ノズル22および回転軸25の空間41の一方または両方を介して高温の窒素ガスが供給される。【選択図】図3
請求項(抜粋):
基板の表面に処理を施す基板表面処理装置であって、
基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段により保持された基板を加熱する基板加熱手段と、
前記基板加熱手段により加熱され、前記基板回転手段により回転される基板の表面に向けて所定の表面処理用気体を供給する気体供給手段と、
前記基板回転手段に保持された基板の表面または裏面に加熱された流体を供給する流体供給手段とを備えたことを特徴とする基板表面処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/302
, H01L 21/304
FI (3件):
H01L21/302 201A
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 651L
Fターム (8件):
5F004BB26
, 5F004BC06
, 5F004CA04
, 5F004CA05
, 5F004DA20
, 5F004DB03
, 5F004FA01
, 5F004FA08
引用特許:
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