放射線検出装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-051481
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258226
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】信号成分及びノイズ成分を夫々に影響を与えることなく、単独で向上させ、感度の向上を達成する。【解決手段】ノイズ成分においては、信号線とスイッチTFT駆動配線との配線交差部を第1の絶縁層、半導体層、第2の絶縁層の積層構造とすることにより、配線交差部で形成される寄生容量を低減し、信号線ノイズ、ICICノイズを低減する。また、信号成分においては、n+膜の機能であるホールブロッキング機能と電極機能を、夫々、n+膜と透明導電膜に機能分離させることにより、n+膜を薄膜化し、光入射効率を向上させる。また、光電変換素子部の半導体層を厚膜化し、一方、スイッチTFTの半導体層を薄膜化することにより、信号変換素子及びスイッチTFTの性能を共に向上させ、感度向上を達成する。

請求項（抜粋）：

放射線信号を可視光に変換する蛍光体と、前記可視光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子の信号を読み出すスイッチTFTとを有する放射線検出装置において、前記信号変換素子及びスイッチTFTは、夫々同一部材の電極層、第1の絶縁層、半導体層、オーミックコンタクト層で構成され、且つ、前記光電変換素子のバイアス配線と前記スイッチTFTの駆動配線の配線交差部、或いは、前記スイッチTFTの駆動配線と信号線の配線交差部は、少なくとも、前記第1の絶縁層、半導体層、第2の絶縁層を介して構成されており、前記光電変換素子の半導体層とスイッチTFTの少なくともソース・ドレイン電極部の半導体層は、異なる膜厚で構成されていることを特徴とする放射線検出装置。

IPC (8件)：

H01L 27/146 , G01T 1/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 31/09 , H01L 31/10 , H04N 5/32 , H04N 5/335

FI (8件)：

G01T 1/20 E , G01T 1/20 G , H04N 5/32 , H04N 5/335 U , H01L 27/14 C , H01L 31/10 A , H01L 31/00 A , H01L 29/78 612 D

Fターム (77件)：

2G088EE01 , 2G088EE29 , 2G088FF02 , 2G088FF04 , 2G088GG19 , 2G088JJ05 , 2G088JJ32 , 2G088JJ33 , 2G088JJ37 , 2G088LL11 , 2G088LL12 , 2G088LL15 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA02 , 4M118FB03 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 5C024AX12 , 5C024AX16 , 5C024CX03 , 5C024CY47 , 5C024GX03 , 5F049MA01 , 5F049MB05 , 5F049NA01 , 5F049NA04 , 5F049NA15 , 5F049NB05 , 5F049RA04 , 5F049RA08 , 5F049SS01 , 5F049SZ20 , 5F049UA01 , 5F049UA07 , 5F049UA14 , 5F049WA07 , 5F088AA01 , 5F088AB05 , 5F088BA01 , 5F088BA03 , 5F088BB03 , 5F088BB07 , 5F088EA04 , 5F088EA08 , 5F088EA14 , 5F088EA16 , 5F088GA02 , 5F088HA15 , 5F088HA20 , 5F088KA03 , 5F088KA08 , 5F088KA10 , 5F088LA07 , 5F110AA30 , 5F110BB09 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN71

前のページに戻る