特許

J-GLOBAL ID：200903023293494067

基板処理装置

発明者： 境 正憲 ,  水野 謙和 ,  佐々木 伸也 ,  山崎 裕久
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-257076
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078448
出願日： 2006年09月22日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：

【課題】バッチ式の基板処理装置に限らず、成膜の際のウエハの膜厚の均一化を可能にする手段を提供する。【解決手段】第1のガス供給手段は、処理室201に原料ガスを導入する少なくとも1つの第1の導入口を更に備え、第1の導入口は前記処理室201内に収容された基板側の方向を避けて開口し、第2のガス供給手段は、前記処理室201に前記酸性化ガスを導入する少なくとも一つの第2の導入口を更に備え、前記第2の導入口は前記処理室201内に収容された基板側の方向を向いて開口し、制御部は、前記第1のガス供給手段、前記第2のガス供給手段および前記排出手段を制御して、前記処理室201に対して前記原料ガスと前記酸性化ガスを交互に供給、排気し、前記基板上に所望の膜を生成するように構成される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

複数の基板を積層した状態で収容する処理室と、 前記基板及び前記処理室内の雰囲気を加熱する加熱手段と、 前記加熱手段により加熱された前記処理室内の雰囲気温度で自己分解する原料ガスを供給する第1のガス供給手段と、 酸性化ガスを供給する供給する第2のガス供給手段と、 前記処理室内の雰囲気を排出する排出手段と、 少なくとも前記第1のガス供給手段、前記第2のガス供給手段および前記排出手段を制御する制御部と、を備え、 前記第1のガス供給手段は、前記処理室に前記原料ガスを導入する少なくとも1つの第1の導入口を更に備え、 前記第1の導入口は前記処理室内に収容された前記基板側の方向を避けて開口し、 前記第2のガス供給手段は、前記処理室に前記酸性化ガスを導入する少なくとも一つの第2の導入口を更に備え、 前記第2の導入口は前記処理室内に収容された基板側の方向を向いて開口し、 前記制御部は、前記第1のガス供給手段、前記第2のガス供給手段および前記排出手段を制御して、前記処理室に対して前記原料ガスと前記酸性化ガスを交互に供給、排気し、前記基板上に所望の膜を生成するように構成された基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  H01L21/316 X

Fターム (20件)：

5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045BB01 ,  5F045DP19 ,  5F045EE04 ,  5F045EE11 ,  5F045EE19 ,  5F045EF02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F045EF20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04