特許

J-GLOBAL ID：200903023294083494

表面実装型発光ダイオ-ド及びその製造方法

発明者： 小池 晃
出願人/特許権者： 株式会社シチズン電子
代理人 (1件)： 浅川 哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016250
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216443
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 発光ダイオード素子を載置する基板の放熱効果を高めることによって、発光ダイオード素子の寿命を延ばすと共に発光輝度の低下を抑えること、また安価な基板を用いることでコストダウンを図ること。【解決手段】 薄板金属基板12の上面15に反射カップ部17を設けてその中に発光ダイオード素子16を載置し、その上方を集光レンズ部25が形成された第1の樹脂体24で樹脂封止すると共に、薄板金属基板12の裏面側を第2の樹脂体26で補強した。

請求項（抜粋）：

薄板金属基板の上面に発光ダイオード素子を載置し、その上方を第1の樹脂体で樹脂封止すると共に、薄板金属基板の裏面側を第2の樹脂体で補強したことを特徴とする表面実装型発光ダイオード。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 21/52 A ,  H01L 23/30 B

Fターム (26件)：

4M109AA02 ,  4M109BA04 ,  4M109CA01 ,  4M109DA07 ,  4M109DB16 ,  4M109EA02 ,  4M109EE04 ,  4M109EE12 ,  4M109GA01 ,  4M109GA05 ,  5F041AA33 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA55 ,  5F041DA57 ,  5F041DB03 ,  5F041DB09 ,  5F041DC23 ,  5F041DC56 ,  5F047AA17 ,  5F047BA21 ,  5F047BA52 ,  5F047BB11