特許
J-GLOBAL ID:200903023299591617

半導体素子の実装方法と半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-049698
公開番号(公開出願番号):特開平8-250550
出願日: 1995年03月09日
公開日(公表日): 1996年09月27日
要約:
【要約】【目的】 接着剤を硬化させて生じる圧縮応力を利用した、半導体素子の実装方法と半導体装置に関し、半導体素子実装時における電気的接続の可否の検知を容易にし、電極保護膜の剥離に伴う電気的接続障害をなくす。【構成】 透明基板1に形成した複数の半導体素子実装電極4の一部は、バンプ接続部4aを透明導電体で形成し、透明基板1に半導体素子7を固着させる接着剤12には、光学的に識別可能な複数の粒子13を分散させたものを用いる。電極4を保護する保護膜5は、半導体素子7の対応領域の外側に形成する。
請求項(抜粋):
接着剤を用いて複数の半導体素子実装電極が形成された透明基板の表面に、複数のバンプが形成された半導体素子を実装させるに際し、該接着剤にはその硬化後の厚さより小径、かつ、光学的に識別可能な複数の粒子を分散せしめ、該複数の半導体素子実装電極の少なくとも一部は、バンプ接続部を透明導電体で形成し、該透明基板の表面の所定部には、該複数の半導体素子実装電極を避けて該接着剤を被着し、該バンプが所定の該半導体素子実装電極のバンプ接続部と接するように、該半導体素子を該透明基板に重ね、該半導体素子を該透明基板に向けて押圧し該バンプを押し潰すと共に、該接着剤を硬化させること、を特徴とする半導体素子の実装方法。
IPC (3件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 29/40 ,  H01L 21/66
FI (3件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 29/40 A ,  H01L 21/66 J

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