特許

J-GLOBAL ID：200903023299631384

GaN系結晶成長用基板

発明者： 大内 洋一郎 ,  岡川 広明 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198514
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031068
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 マスク層と周囲のGaN系結晶層との識別を容易にし、GaN系結晶層を成長させた後の種々の加工の好ましい基準となりえるマスク層を有するGaN系結晶成長用基板を提供すること。【解決手段】 ベース基板1とマスク層2との間に、紫外域〜赤外域のなかから選ばれる波長光を透過させない不透過層3を、マスク層の形成パターンと一致させて設ける。不透過層3は、GaN系半導体の結晶成長の条件に耐え得る材料とし、GaN系半導体の結晶成長の条件にさらされても前記光を透過させない性質を失わないものとする。不透過層には、GaN系結晶によるブラッグ反射層や、高融点金属による蒸着層が挙げられる。

請求項（抜粋）：

GaN系結晶が成長可能なベース基板面に、マスク領域と非マスク領域とを形成するようにマスク層が設けられ、マスク層は、それ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料からなり、マスク層とベース基板との間には、紫外光〜赤外光のなかから選ばれる波長光を透過させない不透過層が、マスク層の形成パターンと一致して設けられており、該不透過層は、GaN系半導体の結晶成長の条件に耐え得る材料からなり、かつ、GaN系半導体の結晶成長の条件にさらされても前記光を透過させない性質を失わないものであることを特徴とするGaN系結晶成長用基板。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (19件)：

5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045EB15