特許
J-GLOBAL ID：200903023300111152
薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-228745
公開番号（公開出願番号）：特開2000-182957
出願日： 1999年08月12日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。【解決手段】 非晶質半導体膜を気相堆積法で形成する。その後固相結晶化及び溶融結晶化を行う。
請求項（抜粋）：
基板上にシリコン(Si)を主体とした半導体膜を形成する第一工程と、該半導体膜の一部を溶融させる第二工程とを少なくとも含む薄膜半導体装置の製造方法に於いて、基板上に下地保護膜と成る酸化硅素膜を形成する下地保護膜形成工程と、該下地保護膜形成工程後に該基板を洗浄する洗浄工程と、該洗浄工程終了後に第一工程として化学気相堆積法(CVD法)にて高次シラン(SinH2n+2:n=2,3,4)を原料気体の一種として非晶質膜を堆積した後に、該非晶質膜を固相にて結晶化する事で結晶性半導体膜を形成して居る事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, B08B 3/04
, H01L 21/205
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, B08B 3/04 Z
, H01L 21/205
, H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 627 G
