半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-031024
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214260
出願日： 2006年02月08日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】外部量子効率を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体発光素子は、基板1上に設けられ、光を生成する活性層3を含む半導体多層膜と、半導体多層膜上に形成されたp電極7と、プラズモン発生層8とを備えている。半導体多層膜のうち少なくとも活性層3を含む部分は、複数の柱状体を構成しており、プラズモン発生層8は各柱状体間を埋めている。プラズモン発生層8は、発光波長における誘電率が負である材料により構成される。複数の柱状体は、周期的に配置されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

活性層を内部に含み、少なくとも前記活性層を含む部分に凹凸が形成された半導体多層膜と、発生する光の振動数において誘電率が負である物質からなり、前記凹凸に埋め込まれたプラズモン発生層とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 M

Fターム (8件)：

5F041AA03 , 5F041AA06 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CA85 , 5F041CA87 , 5F041EE25

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