特許
J-GLOBAL ID：200903023308348194
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240017
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083084
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】面発光レーザからのレーザ発振光を検出する光検出器を一体化できないとともに、効率的な光吸収ができない。【解決手段】基板(1) 上に形成され、活性層(5) と該活性層を挟持する一対のミラー層(3,7) で構成されるレーザ発振光を出射する垂直共振器型面発光レーザからなる発光部(10)と、前記発光部(10)と同一基板(1) 上に形成され、前記活性層(5) と該活性層(5) を挟持する一対のミラー層(3,7) で構成されるレーザ発振光を感受する光検出部(13)とを有する半導体レーザ装置において、前記光検出部(13)の受光面が、前記発光部(10)のレーザ発振光の出射側に形成され、前記活性層(5) を分断する溝(8) の端面であることを特徴とする半導体レーザ装置。
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、活性層と該活性層を挟持する一対のミラー層で構成されるレーザ発振光を出射する垂直共振器型面発光レーザからなる発光部と、前記発光部と同一基板上に形成され、前記活性層と該活性層を挟持する一対のミラー層で構成されるレーザ発振光を受光する光検出部とを有する半導体レーザ装置において、前記光検出部の受光面が、前記発光部のレーザ発振光の出射側に形成された前記活性層を分断する溝の端面であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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