半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228343
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077231
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】この発明は、装置の信頼性に影響を与えることなく、耐熱サイクル性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供しようとするものである。【構成】シリコン基板1と、この基板1上に形成された半導体素子の信号入出力用の電極としてのバンプ電極5a〜5cと、バンプ電極5a〜5c以外の基板1表面上を被覆する樹脂膜6とを具備する。そして、パンプ電極5a〜5cの頂上部7の位置と樹脂膜6の上端部8の位置とを互いにずらし、バンプ電極5a〜5cの頂上部7を樹脂膜6の上端部8より突出させたことを特徴としている。このような装置であると、樹脂膜を形成することによって装置の耐熱サイクル性、信頼性を向上できる。さらにこの作用効果に加え、バンプ電極の頂上部を樹脂膜の上端部より突出させることによって、ボンディング時、押圧力によってバンプ電極が変形したとしても、樹脂膜にクラックが入り難くなり、また、樹脂膜の変質も防止され、装置の信頼性をより一層、高めることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記基板上に形成された、半導体素子の信号入出力用の電極としての突起電極と、前記突起電極以外の前記基板表面上を被覆する樹脂膜と、を具備し、前記突起電極の頂上部の位置と前記樹脂膜の上端部の位置とを互いにずらし、前記突起電極の頂上部を前記樹脂膜の上端部より突出させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/56

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-062525
特開昭63-036548
特開平2-159034

全件表示

前のページに戻る