特許
J-GLOBAL ID:200903023311855030

多電極半導体レーザアレイ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大岩 増雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-091075
公開番号(公開出願番号):特開平8-288595
出願日: 1995年04月17日
公開日(公表日): 1996年11月01日
要約:
【要約】【目的】 半導体レーザとヒートシンクを接続するボンディングワイヤが互いに接触するのを防ぐ多電極半導体レーザアレイ装置を得る。【構成】 それぞれ独立に駆動することができる表面金属電極4を三電極有する三電極半導体レーザ13を、8個集積したチップと、このチップを載置すると共に表面金属電極4の各々とワイヤボンディングにより接続される表面電極接続パッド5を階段状に配置したヒートシンク11を備えたものである。【効果】 表面電極接続パッドを階段状に配置した構造をとることより、ボンディングワイヤは立体的に配置されることになり、互いに接触、短絡することを防ぐことができる。
請求項(抜粋):
それぞれ複数の電極が設けられ、同一面上に配置された所定の方向のレーザ出射面を有する複数の半導体レーザ、この複数の半導体レーザを載置すると共に、上記複数の半導体レーザの各電極とワイヤボンディングによって接続される高さの異なる複数の電極パッドを有するヒートシンクを備えたことを特徴とする多電極半導体レーザアレイ装置。
IPC (4件):
H01S 3/18 ,  H01L 21/60 301 ,  H01S 3/043 ,  H01S 3/23
FI (4件):
H01S 3/18 ,  H01L 21/60 301 C ,  H01S 3/04 S ,  H01S 3/23

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