特許

J-GLOBAL ID：200903023315370928

縦方向及び横方向バイアスを有する磁気トンネル接合型磁気抵抗読取りヘッド

発明者： ロバート・エドワード・フォンタナ・ジュニア ,  スチュアート・スティーブン・パップワース・パーキン ,  チン・ファ・ツァン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144185
公開番号（公開出願番号）：特開平11-353621
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 横方向バイアス磁界を制御することによって線形出力信号を出力するように装置のパフォーマンスを最適化することができ、縦方向バイアス磁界によって安定した出力信号が得られる、MTJ MR読取りヘッドを提供すること。【解決手段】 磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッドが、トンネル障壁層の対向し合う側にある1つの固定強磁性層と1つのほぼ方形の検知強磁性層と、検知強磁性の側縁部と背面縁部の周囲に配置されたバイアス強磁性層とを有する。電気絶縁層がバイアス層を検知層の縁部から分離する。バイアス層は、検知層の3つの縁部を囲むように側面領域と背面領域を有する連続境界バイアス層である。バイアス層が連続した側面領域と背面領域を備えた単一の層である場合、その磁気モーメントは、検知層の長い縁部と角度を成すように選択することができる。

請求項（抜粋）：

装置内の電気抵抗の変化を検出するセンス回路に接続する磁気トンネル接合装置であって、基板と、前記基板上に形成された第1の導電リードと、前記第1のリード上に形成され、印加磁界がないときに固定された磁気モーメントを有する固定強磁性層と、前記固定強磁性層に接触した絶縁トンネル障壁層と、前記絶縁トンネル障壁層と接触し、長い背面縁部と2つのより短い対向する側縁部とを備えたほぼ方形の形状を有する検知強磁性層とを含む磁気トンネル接合スタックと、前記磁気トンネル接合スタック上に形成され、前記磁気トンネル接合スタックと接触した第2の導電リードと、前記基板上に、前記検知強磁性層の前記背面縁部及び側縁部の周りに、前記背面縁部及び側縁部から離隔して形成され、印加磁界がないときに前記検知強磁性層の磁気モーメントを好ましい方向にバイアスさせる磁気モーメントを有するバイアス強磁性層と、前記バイアス強磁性層と前記検知強磁性層とを、前記検知強磁性層の前記背面縁部及び側縁部において互いに接触から分離する電気的絶縁層とを含み、前記センス回路に前記電気リードが接続されたとき、前記スタック内の前記各層を垂直に流れる電流に対する電気抵抗が、前記固定強磁性層及び前記検知強磁性層の磁気モーメントの相対的向きによって決まり、前記バイアス強磁性層にセンス電流が分流するのが防止される、磁気トンネル接合装置。