特許
J-GLOBAL ID：200903023316176602
表面汚染評価装置及び表面汚染評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011936
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221148
出願日： 1994年02月03日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】半導体基板等の表面が汚染されていないかどうかを光学的な手段により検出する表面汚染評価装置に関し、CやNの結合分子が主体となっている基板表面の微量な汚染物を基板対応で確実に検出し、迅速に良否判定する。【構成】赤外光を出射する光源11と、赤外光が入射される基板29を保持する基板保持具13と、基板29表面で反射された赤外光を受け、かつ受けた赤外光を反射して所定の入射角度で基板29表面に再び入射させるような角度に置かれた反射板18と、反射光を分光する分光器25とを有する。
請求項（抜粋）：
赤外光を出射する光源と、前記赤外光が入射される基板を保持する基板保持具と、前記基板表面で反射された前記赤外光を受け、かつ受けた前記赤外光を反射して所定の入射角度で前記基板表面に再び入射させるような角度に置かれた反射板と、前記反射光を分光する分光器とを有する表面汚染評価装置。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01J 3/42
, G01N 21/35
, G01N 21/88
