特許

J-GLOBAL ID：200903023318524616

半導体リードフレーム及びその製造方法

発明者： 坂本 浩 ,  原 利久 ,  中島 安啓
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-110007
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321269
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 純銅層全面を圧延加工することにより、活性度が低く、皮膜中の微量硫黄成分等の悪影響を受けずに、Au線又はCu線を良好にワイヤボンディングすることができる半導体リードフレーム及びその製造方法を提供する。【構成】 銅合金からなるリードフレーム基材と、このリードフレーム基材の表面に設けられた純銅層とを有し、この純銅層は、光沢又は半光沢銅メッキにより形成された後、冷間加工を受けており、その表面のX線光電子分光分析値のS2Pスペクトル/Cu2Pスペクトルピーク強度比が0.01以下である。また、前記純銅層表面のメッキ結晶粒が残存している領域は、面積率で1%未満である。そして、このリードフレームは、光沢又は半光沢銅メッキ工程で、添加剤成分中に硫黄を含まないようにし、冷間加工工程の後、前記純銅層を100°C以上の温度で熱処理した後、表面を研磨することにより得ることができる。

請求項（抜粋）：

銅合金からなるリードフレーム基材と、このリードフレーム基材の表面に設けられた純銅層とを有し、この純銅層は、光沢又は半光沢銅メッキにより形成された後、冷間加工を受けており、その表面のX線光電子分光分析値のS2Pスペクトル/Cu2Pスペクトルピーク強度比が0.01以下であることを特徴とする半導体リードフレーム。

IPC (2件)：

H01L 23/50 ,  C25D 7/12