特許

J-GLOBAL ID：200903023325791344

フラーレンデバイスの製造方法、およびフラーレンデバイス

発明者： 堀内 一永 ,  清水 正昭 ,  落合 勇一 ,  青木 伸之
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (7件)： 中村 智廣 ,  成瀬 勝夫 ,  小泉 雅裕 ,  青谷 一雄 ,  井出 哲郎 ,  片岡 忠彦 ,  鳥野 正司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-054366
公開番号（公開出願番号）：特開2004-263241
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】フラーレン分子ないしその結晶を基板上にデバイスの構成要素として含むフラーレンデバイスであって、大気中での構造劣化や酸素吸着等による品質低下を抑制し、高品質のものが得られるフラーレンデバイスの製造方法、およびその製造方法により得られる高品質のフラーレンデバイスを提供すること。【解決手段】基板上の所定の位置に、フラーレン分子の蒸着が選択的に起こる性質を有するテンプレートを配置し、該テンプレートに対してフラーレン分子を蒸着させることで、前記所定の位置に選択的にフラーレン分子を付着させることを特徴とするフラーレンデバイスの製造方法、およびその製造方法により得られるフラーレンデバイスである。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

基板上の所定の位置に、フラーレン分子の蒸着が選択的に起こる性質を有するテンプレートを配置し、該テンプレートに対してフラーレン分子を蒸着させることで、前記所定の位置に選択的にフラーレン分子を付着させることを特徴とするフラーレンデバイスの製造方法。

IPC (6件)：

C23C14/12 ,  C23C14/04 ,  C23C14/20 ,  C30B29/04 ,  C30B29/66 ,  H01L29/786

FI (6件)：

C23C14/12 ,  C23C14/04 Z ,  C23C14/20 A ,  C30B29/04 ,  C30B29/66 ,  H01L29/78 618B

Fターム (40件)：

4G077AA03 ,  4G077BA02 ,  4G077DA01 ,  4G077DA05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA20 ,  4G077SA04 ,  4G077SC02 ,  4G077TK01 ,  4K029AA11 ,  4K029BA34 ,  4K029BB03 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB02 ,  4K029HA00 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB20 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG14 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ14

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Deposition and structural characterization of high quality textured C60 thin films