特許

J-GLOBAL ID：200903023329861835

シリコン系薄膜光電変換装置

発明者： 多和田 裕子 ,  福田 丞 ,  山本 憲治
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-100664
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298088
出願日： 2002年04月02日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、光電変換装置に入射した光を、光散乱層を用いて、光電変換装置内で有効に吸収させることによって、薄膜光電変換装置の変換効率を向上させることを目的とする。【解決手段】 透明基板1上に順次堆積された第一の電極層(透明電極)2と、少なくとも1つ以上のシリコン系光電変換ユニット10と、第二の電極層(裏面電極)を含み、第二の電極層は透明導電性層3a,3cおよび透明絶縁層3bからなる光散乱層3と光反射性金属層4を具備した薄膜光電変換装置において、光散乱層3は30〜150nmの範囲内の厚さを有するとともに、絶縁性薄膜3bは30〜70%の表面被覆率で介在していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

光電変換ユニット側から順に、光散乱層,光反射性金属層を配置した電極層を少なくとも1つ有し、更に該光散乱層が屈折率1.7以下の材料を含んで構成されていることを特徴とする薄膜光電変換装置。

FI (2件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M

Fターム (12件)：

5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051DA04 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA19 ,  5F051FA22 ,  5F051FA23 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-234899   出願人：三洋電機株式会社