特許

J-GLOBAL ID：200903023331537140

積層型固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 荒木 秀一 ,  有馬 通継 ,  安藤 文彦 ,  小杉 美津男
出願人/特許権者： 日本放送協会 ,  オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025805
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204164
出願日： 1995年01月23日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 安易な構成で画素電極のエッジ部の電界集中の緩和と積層面の平滑化を可能にした積層型固体撮像装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1にソース部2とドレイン部3を形成すると共にゲート電極4を設けてMOSトランジスタを構成し、第1の絶縁膜7を介してソース部2及びドレイン部3に接続した第1の金属電極8,9を形成し、更に第2の絶縁膜10を介して第1の金属電極8に接続された第2の金属電極11に接触させて画素電極12を形成し、各画素電極12の間隙部に該画素電極12を熱水酸化して得られた絶縁膜13を備え、その上に第1の電荷注入阻止層14,光電変換膜15,第2の電荷注入阻止層16,透明電極17を順次積層して積層型固体撮像装置を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に信号電荷蓄積部及び信号読み出し部を画素毎に形成し、且つ各信号電荷蓄積部に電気的に接続された各画素電極を有する走査回路部上に、光電変換膜を積層してなる積層型固体撮像装置において、前記隣接する各画素電極の間隙部に、該画素電極の熱水酸化により形成された絶縁膜を備えていることを特徴とする積層型固体撮像装置。