特許

J-GLOBAL ID：200903023333133984

セラミックス回路基板

発明者： 小森田 裕 ,  佐藤 孔俊 ,  日野 高志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143918
公開番号（公開出願番号）：特開平10-075025
出願日： 1997年06月02日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】金属回路板とセラミックス基板との接合強度を高めセラミックス回路基板全体としての機械的強度を改善し、金属回路板の剥離や膨れなどの欠陥の発生が少ないセラミックス回路基板を提供する。【解決手段】少なくともセラミックス基板2aとの接合面側の表面に酸化物層7が形成されるとともに内部に酸素を100〜1000ppm含有する金属回路板4a,5aが、セラミックス基板2aに直接接合されていることを特徴とする。また金属回路板4a,5aの表面の酸化物層7の厚さが1.0μm以上であることを特徴とする。また、上記セラミックス基板2aの接合面側の表面から深さ100μmまでの断面領域についてEPMA断面面分析した場合に、液相成分となるイットリア(Y2 O3 )とアルミナ(Al2 O3 )との化合物の分布割合が面積率換算で10〜80%の範囲とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくともセラミックス基板との接合面側の表面に酸化物層を有するとともに内部に酸素を100〜1000ppm含有する金属回路板が、前記セラミックス基板に直接接合されていることを特徴とするセラミックス回路基板。

IPC (5件)：

H05K 1/03 630 ,  H05K 1/03 610 ,  B32B 18/00 ,  C04B 37/02 ,  H05K 3/38

FI (6件)：

H05K 1/03 630 G ,  H05K 1/03 610 D ,  B32B 18/00 B ,  C04B 37/02 B ,  H05K 3/38 B ,  H05K 3/38 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-029390
  
• 特公平3-014795
  
• 特公平4-060946
  
• 特公平5-072353