特許

J-GLOBAL ID：200903023333438254

結晶の成長方法

発明者： 楠 雅統
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-262716
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074708
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 フォトリソグラフィ工程によるパターニング等の複雑な工程を必要とせずに基板上に良好に位置制御された種子材料を形成可能である。【構成】 所定の雰囲気ガス1中で、基板4の所定位置に向けてスポット径D1に絞られた光エネルギービームBMを照射し、基板4上に種子材料3を形成する。次いで、基板4上の種子材料3にスポット径D2の光エネルギービームBMを照射して種子材料3を溶融固化して単結晶化し、種子単結晶5にする。種子単結晶5の形成後、所定の雰囲気ガス1中で基板4に向けてスポット径D3の光エネルギービームBMを照射し、種子単結晶5を種子として所定の大きさの単結晶6を成長させる。

請求項（抜粋）：

溶融固化されることで単結晶化するに十分微小な大きさを有する、結晶成長の種子となる材料を、所定の雰囲気ガス中で光エネルギービーム照射により基板等の面上に直接形成することを特徴とする結晶の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/268