特許

J-GLOBAL ID：200903023333736646

SiC上のPt電極への配線構造

発明者： 神山 栄治 ,  府瀬川 和宏 ,  伊藤 輝三 ,  富山 能省
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  財団法人地球環境産業技術研究機構
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-168736
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022922
出願日： 1995年07月04日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【目的】 Pt電極に耐熱性のある配線材を設けて高温環境下で使用したときに、Pt電極の抵抗性を悪化させず、かつPt電極がSiCから剥離しない。【構成】 SiC11上に形成されたPt電極12に配線する構造である。Pt電極12上にAu層13とTiNxのような窒化物層14とがこの順に形成され、この窒化物層14にMo,Wのような高融点金属又はそのケイ化物からなる配線材15が接続される。

請求項（抜粋）：

SiC(11)上に形成されたPt電極(12)に配線する構造において、前記Pt電極(12)上にAu層(13)と窒化物層(14)とがこの順に形成され、前記窒化物層(14)に高融点金属又はそのケイ化物からなる配線材(15)が接続されたことを特徴とするSiC上のPt電極への配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/88 M ,  H01L 29/46 Z