特許
J-GLOBAL ID：200903023334320630

シリコン系材料のエッチング方法

発明者：
グリーン、ミノ

グリーン、ミノ について

, 
リウ、フェンミン

リウ、フェンミン について


出願人/特許権者：
ネクソン・リミテッド

ネクソン・リミテッド について


代理人 (11件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-551860
公開番号（公開出願番号）：特表2009-524264
出願日： 2007年01月23日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
エッチングされた表面にカラム又はピラーを形成するために、シリコン基板を小さな局所的領域において選択的にエッチングする方法が記載されている。シリコン基板は、フッ化水素と、銀塩と、アルコールとのエッチング溶液中に保持される。アルコールを含めることは、シリコンカラムのより大きな充填密度を提供する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
シリコン基板をエッチングする方法であって、シリコン基板を、 フッ化物酸又はフッ化物塩と、 フッ化物イオンの存在下における金属の前記シリコン上への無電解堆積が可能な金属塩と、 アルコールと の水溶液に接触させることを含んだ方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01M 4/04
FI (2件)：
H01L21/306 B ,  H01M4/02 112
Fターム (13件)：
5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043GG04 ,  5H050BA17 ,  5H050CB11 ,  5H050DA03 ,  5H050GA21 ,  5H050GA24 ,  5H050HA01 ,  5H050HA02 ,  5H050HA10 ,  5H050HA14 ,  5H050HA20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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