特許
J-GLOBAL ID：200903023334991232
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-321784
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163228
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置のパッケージへの組み込み時等における加熱の際に、半導体基板に形成された貫通孔を起点とするクラックが生じるのを防止することができ、その結果、電気的特性や信頼性の劣化を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の表面側に素子部5を設け、半導体基板1の素子部5の接地電極3に対応する位置に貫通孔6を形成し、半導体基板1の裏面側に半導体基板1で発生する熱を放熱しかつ貫通孔6を通して接地電極3に接続する金属層8を設け、半導体基板1と金属層8との間に応力緩衝層21を設けたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面側に素子部を設け、該半導体基板の前記素子部の接地電極に対応する位置に貫通孔を形成し、前記半導体基板の裏面側に該半導体基板で発生する熱を放熱しかつ前記貫通孔を通して前記接地電極に接続する金属層を設けてなる半導体装置において、前記半導体基板と前記金属層との間に応力緩衝層を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/34
, H01L 21/3205
H01L 23/34 A
, H01L 21/88 T
