特許
J-GLOBAL ID:200903023341072587
真空処理装置および真空処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
飯阪 泰雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-293954
公開番号(公開出願番号):特開2003-100851
出願日: 2001年09月26日
公開日(公表日): 2003年04月04日
要約:
【要約】【課題】 基板を真空下に加熱して処理するに際し、基板のサセプタへの載置時、サセプタからの持ち上げ時等に、サセプタと基板との間に位置ズレを発生させない真空処理装置および真空処理方法を提供すること。【解決手段】 ガラス基板Sを載置し加熱するための昇降可能なサセプタ6、およびガラス基板Sの周囲となる位置に配置されてサセプタ6を上下に貫通し、ガラス基板Sの端縁部を上端のフランジ部12で支持する中空の複数の昇降ピン11の下端と、昇降ピン11の中空部に遊挿され成膜時以外にはフランジ部12から上方へ円錐形状部22を突出させる基板支持ピン21との下端を共に支持し、サセプタ6とは独立して昇降される支持板31とによって、真空チャンバー2内でガラス基板Sを昇降させる。また、ガラス基板Sを成膜位置へ上昇させる途中で、ガラス基板Sによってマスク41を持ちあげてセットする。
請求項(抜粋):
基板を載置し加熱する昇降可能なサセプタと、前記サセプタを貫通して設けられ前記基板を上端で支持して昇降させる複数の昇降ピンとを備えた真空処理装置において、前記基板の周囲となる位置に配置され前記サセプタを上下方向に貫通して遊挿されており、上端のフランジ部で前記基板の周縁部を支持し、前記サセプタとは独立して昇降可能とされている中空の昇降ピンと、前記昇降ピンの中空部に遊挿されており、前記基板の処理時以外は先端の円錐形状部が前記フランジ部より上方へ突出され、前記基板の処理時には前記円錐形状部が前記昇降ピン内へ収容される基板位置決めピンと、前記基板の周縁部にセットされるマスクとを有していることを特徴とする真空処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/68
, C23C 14/50
, C23C 16/458
FI (3件):
H01L 21/68 G
, C23C 14/50 D
, C23C 16/458
Fターム (27件):
4K029AA02
, 4K029AA06
, 4K029AA09
, 4K029CA01
, 4K029CA03
, 4K029CA05
, 4K029JA01
, 4K030CA02
, 4K030CA04
, 4K030CA06
, 4K030EA06
, 4K030FA03
, 4K030GA02
, 4K030LA18
, 5F031CA02
, 5F031CA05
, 5F031HA24
, 5F031HA28
, 5F031HA33
, 5F031HA37
, 5F031JA27
, 5F031KA03
, 5F031MA28
, 5F031MA29
, 5F031MA30
, 5F031MA31
, 5F031MA32
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