特許

J-GLOBAL ID：200903023341426257

化合物半導体単結晶薄膜の成長法

発明者： 西澤 潤一 ,  阿部 仁志 ,  鈴木 壮兵衛
出願人/特許権者： 新技術事業団 ,  西澤 潤一 ,  沖電気工業株式会社 ,  鈴木 壮兵衛
代理人 (1件)： 紋田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322680
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097096
出願日： 1984年07月26日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 化学量論的組成を制御することにより結晶成長層の品質を改善し、ガス導入一サイクルに付き1分子層もしくは2分子層のエピタキシャル成長膜を形成すること。【構成】 化合物半導体の一方の成分元素を含むガス状化合物分子のみを成長槽内の圧力が10-1〜10-7パスカルになる範囲で0.5〜200秒間半導体単結晶基板上に第1のノズルを介して導入し、排気後、前記化合物半導体の残る他方の成分元素を含むガス状化合物分子のみを前記成長槽内の圧力が10-1〜10-7パスカルになる範囲で0.5〜200秒間前記半導体単結晶基板上に第2のノズルを介して導入し、排気する一連の操作を前記半導体単結晶基板を300〜800°Cに加熱して繰り返すことにより、所望の厚さの化合物半導体の単結晶薄膜を前記一連の操作一サイクルに付き少なく共1分子層の厚み単位で成長させ、これを繰り返すことにより所望の分子層数の単結晶薄膜を成長させる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体の一方の成分元素を含むガス状化合物分子のみを成長槽内の圧力が10-1〜10-7パスカルになる範囲で0.5〜200秒間半導体単結晶基板上に第1のノズルを介して導入し、排気後、前記化合物半導体の残る他方の成分元素を含むガス状化合物分子のみを前記成長槽内の圧力が10-1〜10-7パスカルになる範囲で0.5〜200秒間前記半導体単結晶基板上に第2のノズルを介して導入し、排気する一連の操作を前記半導体単結晶基板を300〜800°Cに加熱して繰り返すことにより、所望の厚さの化合物半導体の単結晶薄膜を前記一連の操作一サイクルに付き少なく共1分子層の厚み単位で成長させ、これを繰り返すことにより所望の分子層数の単結晶薄膜を成長させることを特徴とする化合物半導体単結晶薄膜の成長法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭61-034927
  
• 特開昭61-034921
  
• 特開昭61-034922
  
• 特開昭61-034929
  
• 超格子半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-322679   出願人：新技術事業団, 西澤潤一