特許
J-GLOBAL ID：200903023341430394
同期型半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-223669
公開番号（公開出願番号）：特開平8-087883
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 バーンインを行う際に、SDRAMチップの制御を行う信号数を削減することを目的とする。【構成】 電源電圧VCCと電源電圧VSSとの差を検出して、バーインモードに入ったことを示す信号φBIを出力するバーンインモード検出回路30を備えている。そして、コントロール信号バッファコマンドデコーダ11aは信号φBIによって活性化された信号φACTを出力する。そして、メモリアレイ制御回路12は、信号φACTと信号φBIによって、オートリフレッシュモードになる。また、スイッチ19,20はオン状態となり、リフレッシュアドレスカウンタ15から出力されたアドレス信号が内部の回路に供給される。【効果】 外部からクロックCLKを入力するだけで、オートリフレッシュを行うことができ、バーンインを行うことができる。
請求項（抜粋）：
オートリフレッシュ機能を有する同期型半導体記憶装置において、電源電圧が所定の値よりも高い時に、外部から入力される制御信号に関わらず、自動的に外部クロックに同期してオートリフレッシュを起動することを特徴とする同期型半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 363 M
, G01R 31/28 B
