特許
J-GLOBAL ID：200903023344777298
シリコン電界放出エミッタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-306107
公開番号（公開出願番号）：特開平6-231675
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 電子放出エミッタの特性強化およびエミッタ物質の仕事関数を減少せしめて放出効率を極大化でき、かつ絶縁層への金属汚染を除去して絶縁効果を極大化できるシリコン電界放出エミッタの構造およびその製造方法を提供すること。【構成】 電子放出領域であるエミッタ先端に融点が高く、低い仕事関数を有するシリサイドを金属の傾斜蒸着を通じて形成し、前記シリサイド物質を絶縁層と所定距離ほど離隔させ、また絶縁層を多層構造とするシリコン電界放出エミッタの構造及びその製造方法。
請求項（抜粋）：
(a)シリコン基板表面を高温酸化させた後、フォトエッチングしてマスクを形成するマスク形成工程、(b)前記マスクを用いて円錐形状のエミッタを形成するための前記シリコン基板の乾式エッチング工程、(c)前記円錐形状を有するエミッタを先鋭化するための酸化層を前記シリコン基板上に形成する先鋭化酸化工程、(d)前記工程を通じて基板と一体で円錐形構造に形成された前記エミッタのみを残して、前記マスクおよび前記酸化層を除去するための湿式エッチング工程、 (e)前記基板および前記エミッタ上に、積層する順に最初にSi3N4,次にSiO2、最後にポリイミドを形成して多層構造で絶縁層を形成する工程、(f)前記円錐形状を有する先鋭化されたエミッタが露出するようエミッタ上部の前記絶縁層を除去するための多段階エッチング工程、(g)水平面に対し45°以下の角度で金属を傾斜蒸着して前記絶縁層の開口側に突出したゲート電極を形成すると同時に、エミッタの先端部のみ金属を蒸着する工程、および(h)熱処理により実際電子放出領域である前記金属が蒸着したエミッタの先端部にシリサイドを形成する工程からなることを特徴とするシリコン電界放出エミッタの製造方法。
IPC (2件)：
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