積層膜の形成方法及び積層膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：重野剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-146891
公開番号（公開出願番号）：特開2001-329363
出願日： 2000年05月18日
公開日（公表日）： 2001年11月27日
要約：

【要約】【課題】スパッタリング法により基板上に金属酸化物薄膜と金属薄膜とを交互に多層に積層することにより、PDPの前面に配置される透明導電性薄膜や熱線反射膜として有用な低抵抗で導電性に優れた積層膜を形成する。【解決手段】スパッタリング法により、基板上に金属酸化物薄膜と金属薄膜とを積層形成する積層膜の形成方法において、金属酸化物薄膜を形成する際の雰囲気ガス中の酸素濃度を5〜15vol%とする。

請求項（抜粋）：

スパッタリング法により、基板上に金属酸化物薄膜と金属薄膜とを積層形成する積層膜の形成方法において、該金属酸化物薄膜を形成する際の雰囲気ガス中の酸素濃度を5〜15vol%とすることを特徴とする積層膜の形成方法。

IPC (6件)：

C23C 14/34 , B32B 9/00 , C23C 14/06 , C23C 14/08 , H01B 5/14 , H01B 13/00 503

FI (6件)：

C23C 14/34 M , B32B 9/00 A , C23C 14/06 N , C23C 14/08 N , H01B 5/14 A , H01B 13/00 503 B

Fターム (101件)：

4F100AA17B , 4F100AA17D , 4F100AA20B , 4F100AA20D , 4F100AA21B , 4F100AA21D , 4F100AA25B , 4F100AA25D , 4F100AA28B , 4F100AA28D , 4F100AA33B , 4F100AA33D , 4F100AB01C , 4F100AB01E , 4F100AB10C , 4F100AB10E , 4F100AB12C , 4F100AB12E , 4F100AB13C , 4F100AB13E , 4F100AB15C , 4F100AB15E , 4F100AB16C , 4F100AB16E , 4F100AB17C , 4F100AB17E , 4F100AB18C , 4F100AB18E , 4F100AB21C , 4F100AB21E , 4F100AB23C , 4F100AB23E , 4F100AB24C , 4F100AB24E , 4F100AB25C , 4F100AB25E , 4F100AK42 , 4F100AT00A , 4F100BA03 , 4F100BA04 , 4F100BA05 , 4F100BA07 , 4F100BA08 , 4F100BA10A , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100BA10D , 4F100BA10E , 4F100BA13 , 4F100EH66B , 4F100EH66C , 4F100EH66D , 4F100EH66E , 4F100EH662 , 4F100EJ58B , 4F100EJ58D , 4F100EJ582 , 4F100GB41 , 4F100JG01 , 4F100JG04 , 4F100JM02B , 4F100JM02C , 4F100JM02D , 4F100JM02E , 4F100JN01 , 4F100YY00B , 4F100YY00D , 4K029AA09 , 4K029AA11 , 4K029BA02 , 4K029BA03 , 4K029BA04 , 4K029BA05 , 4K029BA06 , 4K029BA07 , 4K029BA08 , 4K029BA10 , 4K029BA12 , 4K029BA13 , 4K029BA15 , 4K029BA16 , 4K029BA17 , 4K029BA18 , 4K029BA43 , 4K029BA45 , 4K029BA46 , 4K029BA47 , 4K029BA48 , 4K029BA49 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BC05 , 4K029BC09 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029EA05 , 5G307FB01 , 5G307FB02 , 5G323BA01 , 5G323BA02 , 5G323BB05

前のページに戻る