特許
J-GLOBAL ID:200903023351675972

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-042408
公開番号(公開出願番号):特開平11-243250
出願日: 1998年02月24日
公開日(公表日): 1999年09月07日
要約:
【要約】【課題】 活性層からのキャリアのオーバーフローを抑制して、高温でのエッチングストップ層でのキャリアの再結合を減らすことにより、高温での高出力の発振動作を実用レベルで行うこと。【解決手段】 エッチングストップ層の下側に、不純物濃度が従来よりも高いクラッド層62を形成することにより、MQW活性層4からクラッド層62への障壁を従来よりも高くすることができる。これにより、MQW活性層からクラッド層8へのキャリアのオーバーフローが抑制される。このため、高温時、エッチングストップ層でのキャリアの再結合が少なくなるため、レーザの閾値電流が高くなる度合いが抑制され、高温でも、高出力の発振動作が実用レベルの強度で行なわれる。
請求項(抜粋):
GaAs基板上に、少なくとも第一導電型のInGaAlPクラッド層、活性層、第二導電型のInGaAlPクラッド層1、第二導電型のエッチングストップ層、第二導電型のInGaAlPクラッド層2を積層したリッジ導波路型の半導体レーザ素子において、前記エッチングストップ層と前記活性層との間に形成された前記第二導電型のInGaAlPクラッド層1の一部分の第二導電型の不純物濃度を高くしたことを特徴とする半導体レーザ素子。

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