半導体装置の製造方法及び半導体装置の容量素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-014080
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214816
出願日： 1997年01月28日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】半導体基板上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜をエッチングマスクを用いてエッチングして、所定パターンの開口を形成するようにようにした半導体装置の製造方法において、開口の変換差を低減でき、開口の良好な加工精度及び良好な加工形状を実現することができると共に、半導体基板の表面を正常に維持する。【解決手段】半導体基板1上に絶縁膜4を形成し、その絶縁膜4をエッチングマスク5を用いてエッチングして、所定パターンの開口を形成するようにようにした半導体装置の製造方法において、異方性ドライエッチングと、その後のウェットエッチングとを連続して行って、開口を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜をエッチングマスクを用いてエッチングして、所定パターンの開口を形成するようにようにした半導体装置の製造方法において、異方性ドライエッチングと、その後のウェットエッチングとを連続して行って、上記開口を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/306 S , H01L 27/04 C

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