特許

J-GLOBAL ID：200903023366071283

太陽電池

発明者： 佐賀 達男 ,  久松 正 ,  松谷 寿信
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-269568
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110121
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 逆バイアス電圧によって短絡破壊が起こりにくい太陽電池を低コストで製造する。【構成】 基板を構成するP型領域1の表面にN型領域2を形成する。P型領域1とN型領域2の双方に接するP+ 型領域4を設ける。

請求項（抜粋）：

基板を構成する第1の導電型の領域と、その表面に形成された第2の導電型の領域と、前記の第1の導電型の領域および第2の導電型の領域の双方に接する前記の第1の導電型の領域の不純物濃度より高い第1の導電型の領域とを有することを特徴とする太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭52-124888
  
• 特開昭58-101471
  
• 特開昭54-059092