特許

J-GLOBAL ID：200903023374887837

ゲルマニウムナノ結晶を含むシリコン酸化膜の形成方法

発明者： オチュット・クマール・ドット
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-330452
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162464
出願日： 1994年12月08日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 シリコン酸化膜中に、キャリア閉じ込め効果を示すGe微結晶(ナノ結晶)を適切なサイズとサイズ分布で形成できるようにする。【構成】 基板上14に、Siベースの有機系ソース(TEOS)と、Geベースの有機系ソース(TMG)と、オゾンとを反応させる常圧化学蒸着法を用いて、Geがドープされた酸化シリコン(ゲルモ・シリケート・ガラス膜19a)を堆積する〔(a)図〕。次に、無反応性ガスまたは還元性ガス環境下において、Ge-O結合を破壊できる温度でアニールして、ゲルモ・シリケート・ガラス膜19aをGeナノ結晶を含むシリコン酸化膜19に変換する〔(b)図〕。

請求項（抜粋）：

(1)基板上に、Siベースの有機系ソースと、Geベースの有機系ソースと、オゾンとを反応させる常圧化学蒸着法を用いて、Geがドープされた酸化シリコンを堆積するステップと、(2)無反応性ガスまたは還元性ガス環境下において、Ge-O結合を破壊できる温度で、堆積膜をアニールするステップと、を有することを特徴とするゲルマニウムナノ結晶を含むシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/324 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66