特許

J-GLOBAL ID：200903023379446006

ガスセンサ及びその製造方法

発明者： 朴 ▲ヒョン▼洙 ,  李 圭 晶 ,  權 哲 漢 ,  尹 童 鉉 ,  申 鉉 雨 ,  洪 炯 基
出願人/特許権者： エルジー電子株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-278103
公開番号（公開出願番号）：特開平7-198649
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：

【要約】【目的】 半導体製造技術を利用してシリコン基板上に多数個が同時に形成された薄膜型ガスセンサ及びその製造方法を提供すること。【構成】 本発明の薄膜型ガスセンサは、シリコン基板と、シリコン基板の表面上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の表面上にジグザグ状に形成されたヒータと、前記絶縁膜の表面上に前記ヒータと並んでジグザグ状に形成された温度センサと、絶縁膜上に形成された、ヒータ及び温度センサを電気的に絶縁させるための層間絶縁膜と、前記ヒータ及び温度センサの上部の層間絶縁膜上に形成された多数個の電極と、前記電極の上部にアレイ状に配列された、検出ガスと反応するための多数個の対ガス感応層と、ガス感応層が検出ガスと反応しないように検出ガスを遮断するための各対ガス感応層のうち一つのガス感応層に形成された多数個のガス遮断膜と、を含む。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、シリコン基板の表面上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の表面上にジグザグ状に形成されたヒータと、前記絶縁膜の表面上に前記ヒータと並んでジグザグ状に形成された温度センサと、絶縁膜上に形成された、ヒータ及び温度センサを電気的に絶縁させるための層間絶縁膜と、前記ヒータ及び温度センサの上部の層間絶縁膜上に形成された多数個の電極と、前記電極の上部にアレイ状に配列された、検出ガスと反応するための多数個の対ガス感応層と、ガス感応層が検出ガスと反応しないように検出ガスを遮断するための各対ガス感応層のうち一つのガス感応層に形成された多数個のガス遮断膜と、を含むことを特徴とする薄膜型ガスセンサ。