特許
J-GLOBAL ID:200903023382725242

ポジ型フォトレジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小栗 昌平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-265558
公開番号(公開出願番号):特開2002-072482
出願日: 2000年09月01日
公開日(公表日): 2002年03月12日
要約:
【要約】【課題】露光光源として遠紫外線、特にKrFエキシマレーザー光を用いた場合、現像欠陥の問題を生じない優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)アルカリに対して不溶性又は難溶性であり、酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、及び(C)分子量が1000以下の特定のカルボン酸誘導体を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)アルカリに対して不溶性又は難溶性であり、酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、及び(C)下記一般式(I)で表される部分構造を有する分子量が1000以下のカルボン酸誘導体を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】(上記一般式(I)において、R1は水素原子、フッ素原子、または-CF3を表し、R2は水素原子、フッ素原子、-CF3、または-O-R3を表す。R3は炭素数1〜4のアルキル基またはフルオロアルキル基を表す。m、nは各々独立に1〜3の整数を表す。複数のR1及び複数のR2は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。但し、R1及びR2のうち少なくとも1つはフッ素原子叉はフッ素原子を含む基を表す。)
IPC (8件):
G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/095 ,  C08K 5/16 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 504 ,  H01L 21/027
FI (8件):
G03F 7/039 601 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/095 ,  C08K 5/16 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 504 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (34件):
2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025CB45 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J002BC121 ,  4J002EF017 ,  4J002ER028 ,  4J002EU048 ,  4J002EU078 ,  4J002EU088 ,  4J002EU098 ,  4J002EU128 ,  4J002EU138 ,  4J002EU148 ,  4J002EU186 ,  4J002EU216 ,  4J002EU238 ,  4J002EV216 ,  4J002EV256 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002FD208 ,  4J002GP03

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