特許

J-GLOBAL ID：200903023383085190

半導体装置及びその製造方法

発明者： 高木 教光
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-292353
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124417
出願日： 1998年10月14日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 良好な電気的特性のキャパシタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下地基板10上に、下部電極30を形成する工程と、下部電極30上に、タンタル酸化膜32を形成する工程と、下地基板10の温度を400°C以上とし、オゾンを含む酸化雰囲気に紫外線を照射して、タンタル酸化膜32を酸化する工程と、酸素を含む酸化雰囲気中でタンタル酸化膜32を結晶化する工程と、タンタル酸化膜32上に、上部電極34を形成する工程とを有している。

請求項（抜粋）：

下地基板上に、下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に、タンタル酸化膜を形成する工程と、前記下地基板の温度を400°C以上とし、オゾンを含む酸化雰囲気に紫外線を照射して、前記タンタル酸化膜を酸化する工程と、酸素を含む酸化雰囲気中で前記タンタル酸化膜を結晶化する工程と、前記タンタル酸化膜上に、上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/316 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B

Fターム (35件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104EE02 ,  4M104EE05 ,  4M104EE14 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BE10 ,  5F058BF06 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD21 ,  5F083AD62 ,  5F083GA22 ,  5F083GA30 ,  5F083JA06 ,  5F083JA32 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR12 ,  5F083PR33