特許

J-GLOBAL ID：200903023391372476

圧電アクチュエータおよびその製造方法

発明者： 安井 基博
出願人/特許権者： ブラザー工業株式会社
代理人 (1件)： 後呂 和男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-039099
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261656
出願日： 2006年02月16日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】アニール処理による圧電特性の低下を抑制できる圧電アクチュエータ、およびインクジェットヘッドの製造方法を提供することにある。【解決手段】振動板2と圧電層4との間に、互いに溶融開始温度の異なる低温溶融層3Aと高温溶融層3Bとからなる下部電極3を設ける。下部電極3を焼成する焼成工程においては、低温溶融層3Aのみが溶融する低い温度で焼成を行い、圧電層4アニール処理工程においては、高温溶融層3Bが溶融する高い温度でアニール処理を行う。このとき、焼成工程においては、低温溶融層3Aにおいて白金ナノ粒子の溶融が起こり、密着性および拡散防止効果が発揮される。そして、アニール工程においては、高温溶融層3Bにおいて白金粒子が溶融し、密着性および拡散防止効果が発揮される。アニール処理による圧電アクチュエータの圧電特性の低下を抑制できる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に、溶融開始温度TM1及び最大収縮温度TS1を有する第1拡散防止層と、溶融開始温度TM2及び最大収縮温度TS2を有する第2拡散防止層を形成する拡散防止層形成工程と、 前記拡散防止層を、TM1 < TM2 < TC < T S1を満たす焼成温度Tcで焼成する焼成工程と、 前記拡散防止層上に圧電層を形成する圧電層形成工程と、 前記圧電層を、TM2 < TA < TS2を満たすアニ-ル温度TAでアニールするアニール処理工程とを含む圧電アクチュエータの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H02N 2/00 ,  B41J 2/16 ,  C23C 24/08 ,  C23C 28/00

FI (8件)：

H01L41/22 Z ,  H01L41/08 L ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101Z ,  H02N2/00 B ,  B41J3/04 103H ,  C23C24/08 C ,  C23C28/00 B

Fターム (22件)：

2C057AF93 ,  2C057AG45 ,  2C057AP14 ,  2C057AP24 ,  2C057AP31 ,  2C057AP54 ,  2C057AP57 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  4K044AA03 ,  4K044AB02 ,  4K044AB10 ,  4K044BA08 ,  4K044BA12 ,  4K044BB03 ,  4K044BB04 ,  4K044BC11 ,  4K044BC14 ,  4K044CA12 ,  4K044CA24 ,  4K044CA53 ,  4K044CA62

引用特許：

出願人引用 (1件)

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  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-230304   出願人：株式会社リコー