特許

J-GLOBAL ID：200903023392783666

半導体発光素子

発明者： 兼岩 進治
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-059879
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261037
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光素子において、光の有効利用を図り、さらに基板上に形成する半導体層の結晶性を向上させた、高効率発光が可能な半導体発光素子を得ることを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、基板上に形成されたn型GaN層と、該n型GaN層上のn型AlGaNクラッド層と、該n型AlGaNクラッド層上の活性層と、該活性層上のp型AlGaNクラッド層と、該p型AlGaNクラッド層上のp型GaNコンタクト層を含む半導体発光素子において、上記n型GaN層と、上記n型AlGaNクラッド層の間に、超格子構造が形成されてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたn型GaN層と、該n型GaN層上のn型AlGaNクラッド層と、該n型AlGaNクラッド層上の活性層と、該活性層上のp型AlGaNクラッド層と、該p型AlGaNクラッド層上のp型GaNコンタクト層を含む半導体発光素子において、上記n型GaN層と、上記n型AlGaNクラッド層の間に、超格子構造が形成されてなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-253740   出願人：シャープ株式会社