特許

J-GLOBAL ID：200903023394341440

半導体搭載用回路基板及びその製造方法

発明者： 藤 信男
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-243642
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003980
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】 微細配線化による高密度配線が可能な半導体搭載用回路基板を安価に製造する。【解決手段】 金属板上に感光性樹脂や熱硬化性樹脂により絶縁樹脂層12を形成した後、この絶縁樹脂層12にフォトエッチング又はレーザー加工によりビアホール13を形成する。この後、ビアホール13に無電解メッキ等で導体14を充填すると共に、絶縁樹脂層12上に配線パターン15を形成する。この後、絶縁樹脂層12の上面全体に、絶縁性の保護膜16を形成した後、この保護膜16のうちのフリップチップ接続部18aに対応する部分に開口部17を形成する。この後、絶縁樹脂層12の下面の金属板をエッチングすることで、絶縁樹脂層12の下面に外部端子19と基板補強体20と搭載部補強体21を同時に形成した後、回路基板11の金属露出部に、無電解メッキ等によりバッファメタル層25〜27とパッド18を形成する。

請求項（抜粋）：

1層又は複数層の絶縁樹脂層からなる絶縁基板部と、前記絶縁樹脂層に形成された配線パターン及びビア導体と、前記絶縁基板部の下面に列設された多数の外部端子とを備え、各外部端子を前記ビアによって前記配線パターンに導通させた半導体搭載用回路基板において、前記絶縁基板部の下面に、該絶縁基板部を補強する基板補強体が設けられ、この基板補強体と前記外部端子は、前記絶縁基板部の下面に設けられた同一の金属板のエッチングにより形成されていることを特徴とする半導体搭載用回路基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H01L 23/12 Q ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 N ,  H01L 23/12 B

Fターム (7件)：

5E346AA17 ,  5E346AA32 ,  5E346CC32 ,  5E346CC34 ,  5E346EE34 ,  5E346GG22 ,  5E346HH26