特許
J-GLOBAL ID：200903023396312536
pinアモルファスシリコン光電池に於ける広帯域ギャップn層を使用した短絡電流の強化
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-003641
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104464
出願日： 1991年01月17日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 従来型n層よりもより幅の広い「有効」光学的帯域ギャップを備えたn層を有するアモルファスシリコン光電池をn層の導電特性を減ずることなしに提供する。【構成】 透明な基板12上に形成された前面導電層14上に形成されたp型層16上に形成されたアモルファスシリコンのi層18上に形成された広い帯域ギャップn型層30上に形成された後面接点層25とで構成された光電池に於て層30は、互いに交互に重ね合わせて形成された、第一21第二22および第三23n層で構成されたサンドイッチ構造で、層22は21および22のn型層の光学的帯域ギャップよりも幅の広い光学的帯域ギャップを有する。
請求項（抜粋）：
光電池であって:透明な基板と;前記基板上に形成された前面導電層と;前記前面導電層上に形成されたp型層と;前記p層上に形成されたアモルファスシリコンのi層と;前記i層上に形成されたアモルファスシリコンのn型サンドイッチ構造で、該n型サンドイッチ構造がそれぞれ交互に形成された第一、第二および第三n層を有し、前記第一n層は前記i層上に形成され、前記第二n層は前記第一n層上に形成され、前記第三n層は前記第二n層上に形成され、前記第二n層は前記第一および第三n層の光学的帯域ギャップよりも広い光学的帯域ギャップを有する前記アモルファスシリコンのn型サンドイッチ式構造と;それに前記第三n層上に形成された導電性物質からなる後面接点層とで構成されていることを特徴とする光電池。
引用特許：
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