特許
J-GLOBAL ID：200903023402513654
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-294066
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130828
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 ウエハに対向する面を研磨を施さなくても常に平滑状態としておくことができるようにする。【構成】 ウエハを載置台1に載置してそのウエハに表面処理を施す半導体製造装置において、載置台1の上面、つまり絶縁体12の上面を高誘電率を有しかつ金属を含まない高分子薄膜15で被覆する。また被覆する高分子薄膜15を、複数枚を剥離可能に積層した状態に構成し、さらに高分子薄膜15のウエハに対向する面に不活性ガスの吹き出し口16を例えば放射状に形成する。
請求項（抜粋）：
ウエハを載置台に載置してそのウエハに表面処理を施す半導体製造装置において、前記載置台の上面を、高誘電率を有しかつ金属を含まない高分子薄膜で被覆したことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, B23Q 3/15
, H01L 21/3065
