特許
J-GLOBAL ID：200903023404316694
電子素子用基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130001
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299345
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 酸素イオン注入により形成されたシリコン酸化膜で誘電体分離されたSOI構造の基板表層の欠陥を減少させる。【構成】 酸素イオン注入により単結晶シリコン基板10内に形成されたシリコン酸化膜12の上方に熱酸化又はCVDによる別のシリコン酸化膜14を設け、イオン注入時のダメージに起因する結晶欠陥や歪み等をこれらのシリコン酸化膜12と14の間のシリコン層13内に閉じ込める。そして、シリコン酸化膜14の上に素子形成用の結晶性の良い単結晶シリコン層15を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板の所定深さ位置に形成された第1の誘電体層と、前記半導体基板の表面部分に形成された第2の誘電体層と、この第2の誘電体層の上に設けられた素子形成用の半導体層とを有することを特徴とする電子素子用基板。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/265
, H01L 21/76
