特許
J-GLOBAL ID：200903023412330213
3-5族化合物半導体用電極材料
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-073442
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283167
出願日： 1994年04月12日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】p型不純物をドープした一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体と低い接触抵抗を有する電極材料を提供して、高輝度化、低電圧駆動化できる発光デバイスを実現する。【構成】p型不純物をドープした一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体用電極材料であって、スズ添加酸化インジウムであることを特徴とする3-5族化合物半導体用電極材料。
請求項（抜粋）：
p型不純物をドープした一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体用電極材料であって、スズ添加酸化インジウムであることを特徴とする3-5族化合物半導体用電極材料。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 33/00
