特許

J-GLOBAL ID：200903023417507677

薄膜半導体装置

発明者： 曳地 丈人 ,  山本 滋
出願人/特許権者： 富士ゼロツクス株式会社
代理人 (1件)： 菅井 英雄 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-266362
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110090
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】第1層目の配線の上層電極として設けたタンタル(Ta)を低抵抗化するとともに、絶縁膜として酸化タンタル(TaOx )よりなる陽極酸化膜を設けることを可能にし、さらに、コンタクト・ホール形成の際のフォトマスク形成工程を削減して製造の簡単化をはかる。【構成】絶縁性基板上に設けた第1層目の配線が、モリブデン(Mo)、もしくは、タングステン(W)を含む合金であって、かつ、タンタル(Ta)、及び酸化タンタル(TaOx )に対し高いエッチング選択性能を有する合金を着膜した下層電極と、この下層電極上にタンタル(Ta)を着膜した上層電極とからなる積層電極構造に形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成される第1層目の配線が、モリブデン(Mo)、もしくは、タングステン(W)を含む合金であって、かつ、タンタル(Ta)、及び酸化タンタル(TaOX )に対し高いエッチング選択性能を有する合金を着膜した下層電極と、上記下層電極上にタンタル(Ta)を着膜した上層電極とからなる積層電極構造に形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/46

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 21/88 R