特許

J-GLOBAL ID：200903023418721834

半導体処理用リン酸浴の濃度制御方法と装置

発明者： 大竹 聖司
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 菅原 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017917
公開番号（公開出願番号）：特開平11-200072
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】DIWの補充により半導体ウエハエッチング処理用リン酸浴の濃度を制御する方法と装置を提供する。【解決手段】第1の発明にあっては、リン酸浴の沸騰状態に最も適した設定温度となるようにシステムヒータの出力を初期設定により固定し、爾後現在温度と設定温度とを比較し、その結果に応じてDIWの補充レートを自動制御する。第2の発明にあっては、エッチング処理システムの加熱を開始してからリン酸浴が設定温度に到達する前のタイミングでDIWの補充を開始する。第3の発明にあっては、リン酸浴の表面にDIWを水滴状で滴下させる。第4の発明にあっては、開口部に十字クロス部材を具えたDIW滴下用ノズル25がリン酸浴の表面上方に複数個列設配置されている。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハのエッチング処理用リン酸浴の濃度制御をDIWの補充により行う方式であって、リン酸浴の沸騰状態に最も適した設定温度となるようにシステムヒータの出力を初期設定により固定し、爾後現在温度と設定温度とを比較し、その結果に応じてDIWの補充レートを自動制御することを特徴とする半導体処理用リン酸浴の濃度制御方法。

IPC (3件)：

C23F 1/08 101 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (4件)：

C23F 1/08 101 ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/306 B ,  H01L 21/306 J