特許
J-GLOBAL ID:200903023436159540

透明導電膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松田 正道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-284457
公開番号(公開出願番号):特開平5-116941
出願日: 1991年10月30日
公開日(公表日): 1993年05月14日
要約:
【要約】【目的】 安価に低抵抗で高透過率の透明導電膜を安定して形成できる透明導電膜の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 少なくとも無機インジウム化合物と、酸素含有率が22at%以上の有機スズ化合物と、インジウムとスズのいずれとも配位可能な有機化合物を含む透明導電膜形成用組成物を、基板に塗布・乾燥した後、還元雰囲気中で、400度以上の温度で焼成することを特徴とする透明導電膜の製造方法である。
請求項(抜粋):
少なくとも無機インジウム化合物と、酸素含有率が22at%以上の有機スズ化合物と、インジウムとスズのいずれとも配位可能な有機化合物を含む透明導電膜形成用組成物を、基板に塗布・乾燥した後、還元雰囲気中で焼成することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
IPC (5件):
C01G 19/00 ,  C03C 17/25 ,  C23C 18/12 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

前のページに戻る