特許

J-GLOBAL ID：200903023439437389

イオンプレーティング装置

発明者： 海妻 良浩 ,  川下 安司
出願人/特許権者： 神港精機株式会社
代理人 (1件)： 田中 浩 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-182878
公開番号（公開出願番号）：特開平8-020861
出願日： 1994年07月11日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】 基板到達温度を低温度に抑えながら、高硬度被膜を生成することができるイオンプレーティング装置を提供する。【構成】 真空槽1内に配置されている基板10、10は、基板電源15に電気的に接続されており、この基板電源15は、負電位の直流電圧を出力する直流電源17と、負電位のパルス電圧を周期的に出力するパルス電源18と、この直流電源17とパルス電源18との出力を切り換える切換スイッチ16とを備えている。そして、被膜生成前のイオンボンバードの際に、切換スイッチ16を直流電源17側に接続することによって、基板10、10に対して負電位の直流電圧を連続的に印加する。一方、被膜生成時に、切換スイッチ16をパルス電源18側に切り換えることによって、基板10、10に対して負電位のパルス電圧を周期的に、即ち負電位の直流電圧を断続的に印加する。

請求項（抜粋）：

イオン化された蒸発原子の被処理物表面に対する衝突を促進させるための被処理物電力を上記被処理物に対して供給する被処理物用電源を備えたイオンプレーティング装置において、上記被処理物用電源が、上記被処理物に対して、上記被処理物電力を供給時間領域と休止時間領域とから成るパルス状の状態で断続的に供給すると共に、上記供給時間領域と上記休止時間領域との比が1対2よりも休止時間領域の割合が大きくなる状態に構成されたことを特徴とするイオンプレーティング装置。

IPC (2件)：

C23C 14/32 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-243265
  
• 電極とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-010568   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開昭61-256506
  
• 特開昭57-007811